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    三星稱，降低堆疊的高度是采用混合鍵合的主因，內存高度限制在775微米內，在這高度中須封裝17個芯片（即一個基底芯片和16個核心芯片），因此縮小芯片間的間隙，是內存大廠必須克服的問題。

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