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SiC和GaN，戰斗才剛剛開始
GaN和SiC器件比它們正在替代的硅元件性能更好、效率更高。全世界有數以億計的此類設備，其中許多每天運行數小時，因此節省的能源將是巨大的。SiC/GaN，海外巨頭瘋狂擴產
以SiC、GaN為代表的第三代半導體材料逐漸嶄露頭角，憑借其高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，展現巨大的市場前景，正成為全球半導體市場爭奪的焦點。
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半導體行業觀察
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